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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제15권 제3호
발행연도
2006.5
수록면
301 - 307 (7page)

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P-modulation doping된 In(Ga)As/InGaAsP 양자점 에서의 decay time 특성을 undoped 양자점 시료와의 비교를 통해 살펴보았다. 10 K 에서의 photoluminescence (PL) 세기는 doping된 양자점이 doping되지 않은 양자점에 비해 약 10배 정도 약하게 나왔다. 또한 Time-resolved PL (TR-PL) 실험을 통해 얻은 양자점 시료의 기저상태 PL peak 에서의 decay time은 doping된 양자점이 doping 되지 않은 양자점에 비해 매우 짧게 나왔다. 이러한 PL 세기와 decay time 특성을 통해서 본 연구에서 측정한 doping 된 양자점의 경우에는 doping에 의해 결함이 증가하게 되고, 그로 인해 운반자의 비발광 경로가 증가하게 되어 doping 된 양자점의 경우에 decay time이 짧게 나타나는 것으로 분석하였다.
#양자점 #변조도핑 #쇠퇴시간 #Quantum dots #Modulation doping #Decay time

목차

국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 시료구조 및 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 분석
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
Abstract

참고문헌 (0)

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