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이용수
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
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O₂/SF₆/CH₄ 플라즈마를 이용한 플렉시블 Polycarbonate와 PMMA의 건식 식각
Applied Science and Convergence Technology
2009 .03
Dry etching of SiC in inductively coupled $SF_6/O_2$ Plasma
한국결정학회 학술연구발표회
2007 .01
Applications of fluid based plasma simulation : dry etch
한국진공학회 학술발표회초록집
2018 .02
C₃F6O 가스를 이용한 SiO₂에 대한 식각 특성 분석
한국진공학회 학술발표회초록집
2017 .08
Study on deep Si etching mechanism using in-situ surface temperature monitoring in SF₆/O₂ plasma
한국진공학회 학술발표회초록집
2010 .02
플라즈마 이온 식각공정에서의 미세 식각 형상에 관한 이론적 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
1994 .02
Ar/CxF2xO(X=3,6) 혼합가스를 이용한 친환경 SiO₂ 식각 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
2019 .08
Characteristics of SiO₂ Etching in a C4F8/Ar/O₂ pulse modulation capacitively coupled plasma
한국진공학회 학술발표회초록집
2018 .02
원자층 식각기술
한국진공학회 학술발표회초록집
2015 .02
Etching Characteristics of Au Film using Capacitively Coupled CF4/Ar Plasma
동굴
2007 .01
다양한 etch gas를 이용한 자성 박막의 식각특성 분석
한국진공학회 학술발표회초록집
2017 .02
LCD 공정용 C₃F₆ 가스를 이용한 Si₃N₄박막 식각공정 및 배출가스에 관한 연구
Applied Science and Convergence Technology
2012 .07
Plasma Dry Etching 방법에 의한 Wafer Backside Etch 특성 평가
한국진공학회 학술발표회초록집
2009 .08
MoS2 layer etching using CF4 plasma and H2S plasma treatment
한국진공학회 학술발표회초록집
2016 .02
Ar/C₄F6/O₂Pulsedtriplefrequency의 식각 메커니즘 분석
한국진공학회 학술발표회초록집
2018 .02
Effects of Cl₂ or SF6 plasma treatments on removal of residue on reactive ion etched Si surface
한국진공학회 학술발표회초록집
1993 .02
Oxygen Plasma Characterization Analysis for Plasma Etch Process
동굴
2007 .01
ECR 플라즈마의 식각 공정변수에 관한 연구
Applied Science and Convergence Technology
1992 .02
Satistical Analysis of SiO₂ Contact Hole Etching in a Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching Reactor
Journal of Magnetics
2010 .09
Capacitively Coupled Plasma Source를 이용한 Etcher의 상부 전극 온도 변화에 따른 Etch 특성 변화 개선
Applied Science and Convergence Technology
2011 .09
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