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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제17권 제3호
발행연도
2008.5
수록면
211 - 214 (4page)

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Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)를 이용하여 사파이어 기판 위에 405 ㎚의 파장을 갖는 GaN light-emitting diode (LED)를 제작하였다. LED의 InGaN 활성층에서 생성되어 칩의 후면으로 향하는 광자를 전면으로 반사시키기 위하여. 사파이어 가판 후면에 반사막을 증착하였다. 반사막으로는 Al을 사용하였으며, 사파이어 기판에 대한 Al 박막의 접착력을 개선하기 위하여 사파이어 기판 후면에 Ti를 먼저 증착한 후에 Al을 증착하였다. Ti-Al 반사막을 채용한 결과, 광추출 효율이 52% 향상되었다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
감사의 글
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