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인문사회과학기술융합학회 예술인문사회 융합 멀티미디어 논문지 예술인문사회 융합 멀티미디어 논문지 제9권 제9호
발행연도
2019.1
수록면
833 - 840 (8page)

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본 연구는 투과 전자 현미경 원소 분석을 통하여 산화주석의 계면에서의 산소원자 영향을 연구 하였다. 산화주석 박막의 제조는 스퍼터를 통하여 제조 되었다. 제조된 산화 주석 박막의 x선 회절 분석을 통하여 분석한 결과 산화주석 박막은 (110), (101), (200), (201)면 등으로 성장 되었다. x선 회절 분석을 통하여 본 결과, 산소 원자가 박막의 성장면에 영향을 미치어서 결정면의 세기가 변화됨이 확인되었다. 투과 전자 현미경을 통하여 박막을 분석한 결과 실리콘 기판과 산화주석 사이에 산소층이 관찰되었고, 산소층 위에 다른 주석 층이 형성되어 있는 것이 관찰되었다. 산소와 주석 이온이 실리콘 기판 위에 화학 결합을 할 때 화학 양론 결함이 발생하였다. 산화물 박막의 광학적 전기적 결함은 박막 내의 산소 공공 결함과 밀접한 관계가 있다. 계면 사이의 산소층 존재는 박막의 광학적 전기적 소자로서의 충분한 이용이 가능하다. 원소 분석을 통하여 산화주석 박막의 계면을 화학 분석한 결과, 주석, 산소, 규소 원자들이 계면층에 함께 분포되어 있음을 확인하였다.
#Tin oxide #transmission electron microscope #x-ray diffraction #interface #atomic analysis #semiconductor

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참고문헌 (17)

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정진 / 2012 / Effects of interface between SnO2 thin film and Si substrate on growth time / Current Applied Physics 12(1):303~306 google schola R. Sanjines / 1990 / Hall Effect measurements in SnOx films sensors exposed to reducing and oxidizing gases / Thin Solid Film 193:935 google schola B. W. Rah / 1982 / SnO2/n-Si Heterojunction Solar Cell / New Physics 22:271 google schola M. S. Choe / 1981 / The Electrical Properties of SnO2/n-Si SIS Type Solar Cell / New Physics 21:39 google schola 우병재 / 2005 / 고주파 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하여 SiO2 버퍼층이 있는 polyethylene terephtalate 위에 성막된 (In2O3)77(ZnO)23-x(SnO2)x, x =4, 6, 8, 10 wt. 박막의 투명전도 특성 / 새물리 51(5):385~390 google schola

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