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논문 기본 정보

자료유형
학위논문
저자정보

이기안 (한국외국어대학교, 韓國外國語大學校 大學院)

지도교수
이성현
발행연도
2021
저작권
한국외국어대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.

이용수15

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이 논문의 연구 히스토리 (6)

2021

Body Contact된 High Resistivity PD-SOI N-MOSFET에서 발생하는 RF Inductive 효과의 드레인 전압 종속성 분석
이기안 ,  이성현 전자공학회논문지 2021.02 학술저널
Body Contact된 PD-SOI MOSFET의 RF Inductive 효과에 관한 이론적 분석 및 SPICE 모델링
이기안 전자공학과 2021.01 학위논문

2019

Body Contact된 PD-SOI nMOSFET의 Kink 효과에 대한 이론 및 분석
이기안 ,  이성현 전자공학회논문지 2019.11 학술저널
PD-SOI MOSFET의 드레인-소스 캐패시턴스에 대한 전압 종속성 분석
이기안 ,  이성현 대한전자공학회 학술대회 2019.11 학술대회자료

2018

Body Contact된 High Resistivity PD-SOI nMOSFET의 Empirical Kink 효과 모델링
이기안 ,  이성현 전자공학회논문지 2018.12 학술저널
Body Contact된 High Resistivity PD-SOI N-MOSFET의 Geometry 종속 Kink 효과 분석
이기안 ,  이성현 대한전자공학회 학술대회 2018.11 학술대회자료

초록· 키워드

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In this thesis, DC kink and RF inductive effects generated in body contact (BCT) high resistivity (HR) partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI) nMOSFETs are analyzed and SPICE modeling is performed. The DC kink effect of BCT PD-SOI MOSFETs is physically analyzed, and its geometry-dependent phenomenon is investigated. A DC kink current model is developed by curve-fitting method using empirical equations with voltage-dependence. The decrease of the drain-source capacitance with increasing the drain and source voltages of PD-SOI MOSFETs is extracted using an “off-state” equivalent circuit in the common-body structure with grounded gate. The anomalous RF inductive effect in which S21- and S22-parameters rotate clockwise in the lower and upper half-circles of Smith chart, respectively, with increasing the frequency at the high VDS region has been investigated in BCT PD SOI nMOSFETs with a large body resistance. It is physically revealed that the RF inductive effect is originated from the negative output capacitance due to a substrate current-induced body effect. The bias-dependence of RF inductive effect parameters is precisely extracted using small-signal modeling of the BCT PD-SOI nMOSFET. Based on these results, a SPICE BSIMSOI4 macro model using voltage-dependent equations for a current source, inductance, capacitance, and resistance is developed and its accuracy is verified up to 15 GHz.
#SOI MOSFET #SPICE modeling #kink effect #RF inductive effect #negative capacitance #macro model #BOX capacitance

목차

Ⅰ. 서 론 8
1.1 최근 동향 및 연구의 중요성 ８
1.2 본 연구의 범위 11
Ⅱ. 패드 및 금속배선 DE-EMBEDDING 12
Ⅲ. DC KINK EFFECT 분석 및 모델링 16
3.1 DC kink effect의 geometry 종속 분석 16
3.2 DC kink effect의 empirical modeling 24
Ⅳ. CAPACITANCE MODELING 30
4.1 드레인 접합 capacitance SPICE model 추출 30
4.2 D/S Capacitance에 대한 전압 종속성 분석 33
Ⅴ. RF INDUCTIVE EFFECT 분석 및 MODELING 37
5.1 RF inductive effect의 물리적 분석 37
5.2 RF SCBE의 주파수 종속성 분석 45
5.3 RF SCBE의 SPICE model 49
5.4 RF inductive effect의 전압종속성 분석 57
Ⅵ. 결 론 66
Ⅵ. 참 고 문 헌 68

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