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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.2
- 수록면
- 17 - 23 (7page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2021.58.2.17
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (6)
2021
2019
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Gate 종횡비가 매우 큰 body contact(BCT) high resistivity(HR) partially depleted(PD) silicon-on-insulator(SOI) nMOSFET에서 발생되는 substrate current-induced body effect (SCBE)에 의해 고주파 S<SUB>21</SUB>과 S<SUB>22</SUB> -parameter에 생기는 RF inductive 효과의 전압 종속 특성을 SCBE 등가회로의 주파수 종속 어드미턴스 방정식을 사용하여 물리적으로 분석하였다. 출력 negative 캐패시턴스를 시뮬레이션할 수 있는 복잡한 SCBE 모델 대신에 간단한 RLC 병렬 공진 회로로 RF inductive 효과를 모델한 후 소신호 등가회로를 사용하여 SCBE 저항, 인덕턴스와 공진주파수의 드레인 전압 종속 특성을 추출하고 검증하였다.
목차
요약
Abstract
I. 서론
Ⅱ. S-parameter inductive 효과 분석
Ⅲ. RF inductive 효과 모델링
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (15)
참고문헌 신청
K. B. Ali, C. R. Neve, A. Gharsallah, and J.-P. Raskin, “RF Performance of SOI CMOS Technology on Commercial 200-mm Enhanced Signal Integrity High Resistivity SOI Substrate,” IEEE Trans. Electron Device, vol. 61, no. 3, pp. 722-728, 2014.
J.-P. Raskin, “SOI technology pushes the limits of CMOS for RF applications,” in Proc. IEEE 16th Topical Meeting Silicon Monolithic Integr. Circuits RF Syst., Jan. 2016, pp. 17-20.
D. Lederer, D. Flandre, and J.-P. Raskin, “High frequency degradation of body-contacted PD SOI MOSFET output conductance,” Semicond. Sci. Technol., vol. 20, no. 5, pp. 469-472, 2005.
D. Lederer and J.-P. Raskin, “Characterization of the body node in PD SOI MOSFETs using multiport VNA measurements,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 54, no. 11, pp. 3030-3039, Nov. 2007.
Y.-C. Tseng, W. M. Huang, B. Ikegami, D. C. Diaz, J. M. Ford, and J. C. S. Woo, “Local floating body effect in body-grounded SOI nMOSFETs,” in Proc. IEEE Int. SOI Conf., Oct. 1997, pp. 26-27.
J.-P. Raskin, “SOI technology pushes the limits of CMOS for RF applications,” in Proc. IEEE 16th Topical Meeting Silicon Monolithic Integr. Circuits RF Syst., Jan. 2016, pp. 17-20.
D. Lederer, D. Flandre, and J.-P. Raskin, “High frequency degradation of body-contacted PD SOI MOSFET output conductance,” Semicond. Sci. Technol., vol. 20, no. 5, pp. 469-472, 2005.
D. Lederer and J.-P. Raskin, “Characterization of the body node in PD SOI MOSFETs using multiport VNA measurements,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 54, no. 11, pp. 3030-3039, Nov. 2007.
Y.-C. Tseng, W. M. Huang, B. Ikegami, D. C. Diaz, J. M. Ford, and J. C. S. Woo, “Local floating body effect in body-grounded SOI nMOSFETs,” in Proc. IEEE Int. SOI Conf., Oct. 1997, pp. 26-27.
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