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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.12
- 수록면
- 194 - 198 (5page)
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본 논문에서는 Gate grounded NMOS(GGNMOS)와 Gate grounded Lateral insulated gate bipolar transistor(GGLIGBT), Silicon Controlled Rectifier(SCR), 그리고 제안된 ESD 보호 소자에 대한 전기적 특성을 비교 및 분석하였다. 우선 각 소자에 대한 I-V 특성 곡선을 시뮬레이션 함으로써 트리거 전압과 홀딩 전압을 확인하였다. 그 후에 각 소자에 대한 HBM 4k 시뮬레이션을 통해서 감내 특성을 확인하였다. HBM 4k 시뮬레이션 결과, 제안된 ESD 보호소자의 최대 온도가 GGNMOS와 GGLIGBT와 SCR에 비해서 낮기 때문에 그만큼 감내 특성이 개선되었다고 할 수 있으며, 이는 신뢰성 측면에서 우수한 ESD 보호소자임을 의미한다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References
참고문헌 (6)
참고문헌 신청
S. Tiwari / 2012 / Silicon carbide power transistors, characterization for smart grid applications / Power Electronics and Motion Control Conference (EPE/PEMC), 15th International :LS6d.2-1~LS6d.2-8
R. Kaplar / 2012 / Characterization and reliability of sic-and ganbased power transistors for renewable energy applications / 2012 IEEE Energytech :1~6
Yang Wang / 2015 / Robust dual-direction SCR with low trigger voltage, tunable holding voltage for high-voltage ESD protection / Microelectronics Reliability 55(3-4):520~526
Sirui Luo / 2014 / ESD Protection Device With Dual-Polarity Conduction and High Blocking Voltage Realized in CMOS Process / IEEE Electron Device Letters 35(4):437~439
B. B. Song / 2018 / SCRBased ESD Protection Using a Penta-Well for 5V Applications / Journal of the Electron Devices Society :691~695
R. Kaplar / 2012 / Characterization and reliability of sic-and ganbased power transistors for renewable energy applications / 2012 IEEE Energytech :1~6
Yang Wang / 2015 / Robust dual-direction SCR with low trigger voltage, tunable holding voltage for high-voltage ESD protection / Microelectronics Reliability 55(3-4):520~526
Sirui Luo / 2014 / ESD Protection Device With Dual-Polarity Conduction and High Blocking Voltage Realized in CMOS Process / IEEE Electron Device Letters 35(4):437~439
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