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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.1
- 수록면
- 78 - 82 (5page)
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본 논문에서는 Si 로 도핑되어 MBE 방식으로 성장된 β-Ga2O3 기판에 MOSFET 을 제작하여 특성을 평가하였다. 1.5 cm×1 cm 크기의 Fe 로 도핑된 반절연 기판에 MBE 방식으로 Si 가 도핑된 Ga2O3 에피층이 성장되어 졌으며 그 위에 제작된 소자는 원형의 MOSFET 으로써 게이트 길이는 3 um, 소스-드레인 간격은 20 um, 게이트 폭은 523 um 이다. 제작된 소자는 우수한 pinch-off 특성을 보여주었고 높은 전류 온-오프 비를 가지고 있고 1080 V 에 달하는 높은 파괴전압 특성을 나타내었으며 이는 Ga2O3 소자가 갖는 전력반도체로써의 우수한 잠재성을 보여준다
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K. Shimamura / 2005 / Jpn. J. Appl. Phys. 44:L7
M. Higashiwaki / 2012 / Appl. Phys. Lett 100:013504
M. Higashiwaki / 2017 / J. Phys. D : Appl. Phys 50:333002
문재경 / 2019 / 고전압 β-산화갈륨(β-Ga2O3) 전력 MOSFETs / 전기전자재료학회논문지 32(3):201~206
J. K. Mun / 2018 / Proc. Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Annual Summer Conference 2018 :35
M. Higashiwaki / 2012 / Appl. Phys. Lett 100:013504
M. Higashiwaki / 2017 / J. Phys. D : Appl. Phys 50:333002
문재경 / 2019 / 고전압 β-산화갈륨(β-Ga2O3) 전력 MOSFETs / 전기전자재료학회논문지 32(3):201~206
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