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학술저널
저자정보
Kyoung-Il Do (Dankook University) Yong-Seo Koo (Dankook University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.20 No.4
발행연도
2020.8
수록면
343 - 348 (6page)
DOI
10.5573/JSTS.2020.20.4.343

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This paper describes a lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) with dual emitter structure in 4H-silicon carbide (4H-SiC). The electrical characteristics of the dual-emitter LIGBT are better than those of the conventional 4H-SiC LIGBT. The dual-emitter structure has an additional emitter between the emitter and the collector in the conventional LIGBT structure. The addition of the emitter can significantly improve forward voltage drop, on-resistance and current driving characteristics. Experimental results show that the 4H-SiC dual-emitter LIGBT has lower forward voltage drop, lower on-resistance and a higher current driving capability than the conventional 4H-SiC LIGBT.
#Dual-emitter #high current driving capability #lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) #silicon carbide (SiC)

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. DEVICE DESCRIPTION
III. EXPERIMENTAL RESULTS
V. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (15)

참고문헌 신청
T. Fujihira and Y. Miyasaka, “Simulated superior performances of semiconductor superjunction devices,” Proc. 10th Int. Symp. Power Semicond. Devices ICs. ISPSD’98 (IEEE Cat. No.98CH36212), no. V, pp. 423-426, 1998 google schola S. Ji, Z. Zhang, and F. Wang, “Overview of high voltage sic power semiconductor devices: development and application,” CES Trans. Electr. Mach. Syst., vol. 1, no. 3, pp. 254-264, 2017 google schola K.I. Do, B.S. Lee and Y.S. Koo, “Study on 4H-SiC GGNMOS Based ESD Protection Circuit With Low Trigger Voltage Using Gate-Body Floating Technique for 70-V Applications”, IEEE Electron Device Letters, vol. 40, no. 2, pp. 283-286, 2018 google schola A. Merkert, T. Krone, and A. Mertens, “Characterization and Scalable Modeling of Power Semiconductors for Optimized Design of Traction Inverters with Si- and SiC-Devices,” IEEE Trans. Power Electron., vol. 29, no.5, pp. 2238-2245, 2013 google schola X. She, A. Q. Huang, O. Lucia, B. Ozpineci, “Review of Silicon Carbide Power Devices and Their Applications,” IEEE Trans. Industrial Electronics, vol. 64, no. 10, pp. 8193-8205, 2017 google schola

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