Effects of transition layer in SiO2/SiC by the plasma-assisted oxidation

김대경 ,  강유선 ,  강항규 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

2016 .02

The structure of the Si - SiO₂ interface formed by oxygen ion beam bombardment and high temperature annealing

Young Pil Kim ,  Si Kyung Choi ,  Hyung Kyong Kim 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

1997 .02

Reduction of Defects at the SiO₂/SiC Interface by MeV Electron Beam Irradiation

C. Jeon ,  J. H. Nam ,  W. Song 외 7명

한국진공학회 학술발표회초록집

2007 .08

Characteristics of the Selective Oxidation with the Variation of Annealing Temperature in High Mn Steel

권혁대 ,  김준원 ,  김재남 외 1명

한국분석과학회 학술대회

2012 .05

Structural Evolution and Electrical Properties of Highly Active Plasma Process on 4H-SiC

Dae-Kyoung Kim ,  Mann-Ho Cho

Applied Science and Convergence Technology

2017 .09

"Dependence of Thermal Annealing Conditions on Photoluminescence in SiO₂ films"

Jae-Hee Lee ,  Weon-Sik Lee ,  Kwang-Il Kim

한국진공학회 학술발표회초록집

1999 .07

Effect of Compositional Parameters on the Characteristics of C-SiC-$B_4C$ Composites

Agga ,  wal ,  R.K. 외 7명

Carbon science

2004 .01

Effects of post-annealing treatment in organic solar cells

김지환 ,  김동영 ,  손선영 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

Research on the Oxidation-Protective Coatings for Carbon/Carbon Composites

Li ,  He-Jun ,  Fu 외 7명

Carbon science

2005 .01

Diffusion Behaviors of B and P at the Interfaces of Si/SiO₂Multilayer System After the Annealing Process

Jong Shik Jang ,  Hee Jae Kang ,  Hyun Hye Hwang 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2012 .08

4H-SiC 위에 증착 방법으로 SiO₂ 산화막을 형성한 metal-oxide-semiconductor 캐패시터의 전기적 특성 분석

이수형 ,  김영석 ,  김지민 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2018 .02

열 화학기상증착법을 이용한 탄화규소 나노선의 합성 및 특성연구

정민욱 ,  김민국 ,  송우석 외 3명

Applied Science and Convergence Technology

2010 .07

Al2O3/SiO2/Si(100) interface properties using wet chemical oxidation for solar cell applications

Kwan Hong Min ,  Kyoung Cheol Shin ,  Min Gu Kang 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2016 .02

바이어스-온도 스트레스를 이용한 SiN_x/SiO₂ 절연막의 특성 평가

김상섭 ,  최병덕

한국진공학회 학술발표회초록집

2014 .08

Electrical Characteristics of High Temperature Post-Annealed 4H-SiC Implanted by Aluminum Ions

Oh ,  Myeong-Sook ,  Moon 외 9명

한국결정학회 학술연구발표회

2007 .01

Set voltage improvement of resistive switching in MnO_x using oxygen annealing

Min Kyu Yang ,  Jae-Wan Pa ,  k 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2008 .08

Effect of annealing gas in MONOS capacitors with blocking oxide grown by radical oxidation process

H. D. Kim ,  H. M. An ,  Y. J. Seo 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

Low temperature 4H - SiC epitaxial growth on 4H - SiC (1120) and (1100) faces by organo - metallic chemical vapor deposition

Jae Kyeong Jeong ,  Myung Yoon Um ,  Hoon Joo Na 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2001 .07

Characteristics of Annealing Temperature on CTL(Charge-Trap-Layer) Thickness in MONOS(Metal-SiO₂-SiN-SiO₂-Si) Capacitors

Minjun Song ,  Byoungdeog Choi

한국진공학회 학술발표회초록집

2020 .02

Electron beam irradiation effects of graphene layers grown on 6H-SiC(0001)

Ki-jeong Kim ,  Han-Koo Lee ,  Junghun Choi 외 5명

한국진공학회 학술발표회초록집

2007 .08