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서문식 (전자부품연구원 나노정보에너지연구센터) 이철승 (전자부품연구원 나노정보에너지연구센터) 이경일 (전자부품연구원 나노정보에너지연구센터) 신진국 (전자부품연구원 나노정보에너지연구센터)
저널정보
정보저장시스템학회 정보저장시스템학회 추계학술대회논문집 정보저장시스템학회 2005년도 추계학술대회 논문집
발행연도
2005.1
수록면
56 - 58 (3page)

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To illustrate an application of the field effect transistor (FET) structure, this study suggests a new cantilever, using atomic force microscopy (AFM), for sensing surface potentials in nanoscale. A combination of the micro-electromechanical system technique for surface and bulk and the complementary metal oxide semiconductor process has been employed to fabricate the cantilever with a silicon-on-insulator (SOI) wafer. After the implantation of a high-ion dose, thermal annealing was used to control the channel length between the source and the drain. The basic principle of this cantilever is similar to the FET without a gate electrode.
#차세대 이동형 정보저장장치 #기능성 캔틸레버

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