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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제10호
발행연도
2006.1
수록면
894 - 900 (7page)

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This paper reports the fabrication and characterization of 32 × 32 thermal cantilever array for nano-scaled memory device applications. The 32 × 32 thermal cantilever array with integrated tip heater has been fabricated with micro-electro-mechanical systems(MEMS) technology on silicon on insulator(SOI) wafer using 9 photo masking steps. All of single-level cantilevers(1,024 bits) have a p-n junction diode in order to eliminate any electrical cross-talk between adjacent cantilevers. Nonlinear electrical characteristic of fabricated thermal cantilever shows its own thermal heating mechanism. In addition, n-channel high-voltage MOSFET device is integrated on a wafer for embedding driver circuitry.
#AFM #MEMS #Nano-scaled memory #SPM #Thermal probe array

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참고문헌 (7)

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/ 1997. / Cantilevers and tips for atomic force microscopy 16 (2) : 28 ~ google schola / 1999. / High-density data storage based on the atomic force microscope 87 (6) : 102 ~ google schola / 2000. / The 'Millipede' - More then one thousand tips for future AFM data storage 44 (3) : 323 ~ google schola / 2002. / Design of atomic force microscope cantilevers for combined thermomechanical writing and thermal reading in array operation 11 (6) : 765 ~ google schola / 2005. / Fundamentals of micromechanical thermoelectric sensors 98 (4) : 44906 ~ 1 google schola

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