The Growth Mechanism of 3C-SiC ( 111 ) Thin Film on si ( 111 ) Substrate

Y. H. Seo ,  K. S. Nahm ,  Y. H. Lee 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

박막 SOI의 결정질 및 전기적 특성

정귀상

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

박막 SOI의 결정질 및 전기적 특성 ( Crystalline and Electrical Properties of a Thin-Film SOI )

정귀상

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

SOI 기술의 연구동향

이종현

전자공학회지

1987 .08

Silicon-on-insulator(SOI) 기판이 3C-SiC/Si 박막 내의 잔류응력에 미치는 영향

박주훈 ,  이병택 ,  장성주 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

2003 .01

수소 플라즈마를 이용한 SOI 기판 제작 및 SOI 전력용 반도체 소자 제작에 관한 연구

성만영

대한전기학회 학술대회 논문집

2000 .11

SOI MOS 트랜지스터의 Substrate Floating 효과 ( Substrate Floating Effects of SOI MOS Transistors )

유종선 ,  강상원

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

다중 게이트를 이용한 SOI Thin Film Transistor의 특성에 관한 연구

신경식 ,  이성준 ,  김철주

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

TMS를 이용한 SiC 나노박막의 성장연구

양재웅

한국표면공학회지

2005 .08

APPLICATIONS OF SOI DEVICE TECHNOLOGY

Kunkul Ryoo

한국표면공학회지

1996 .10

SiC/SiC 복합재료의 제조 및 특성

이상필 ,  이진경 ,  손인수

대한기계학회 춘추학술대회

2012 .02

SiC 단체와 SiC/SiC 복합재료의 충격파괴거동

서민수 ,  서창민

대한기계학회 춘추학술대회

2012 .02

SiNx/Si 구조를 이용한 SiC 박막성장

김광철 ,  박찬일 ,  남기석 외 1명

한국재료학회지

2000 .01

반응소결 SiC 재료와 SiC_f/SiC 복합재료의 특성

진준옥(Joon-Ok Jin) ,  이상필 ,  이진경 외 3명

대한기계학회 춘추학술대회

2003 .04

산소이온주입으로 제조된 SOI박막의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of SOI Films Formed by Oxygen Implantation )

이종현

전자공학회논문지

1987 .03

용융함침법에 의한 반응소결 SiC/SiC 복합재료의 특성 평가

이상필 ,  신윤석 ,  A. Kohyama

대한기계학회 논문집 A권

2007 .02

Characteristics of Polycrystalline β-SiC Films Deposited by LPCVD with Different Doping Concentration

Xiaoan Fu ,  Eungahn Lee ,  Sangsoo Noh 외 4명

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2005 .01

Ground Plane SOI MOSFET의 단채널 현상 개선

장성준 ,  윤세레나 ,  유종근 외 3명

전자공학회논문지-SD

2004 .04

SOI-MOSFET의 고온 동작에 관한 연구

최창용 ,  문경숙 ,  구상모

전기전자재료학회논문지

2008 .01

SOI 웨이퍼 제조공정의 온도해석

정경훈 ,  김옥삼

한국동력기계공학회 학술대회 논문집

2000 .05