활성화 이온빔 처리된 사파이어 기판상 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과

이상진 ,  변동진 ,  홍창희 외 1명

한국재료학회지

2001 .01

MOCVD를 이용한 GaN 기판 상 GaN 성장층의 특성

진정근 ,  이승재 ,  김강호 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

2008 .01

전처리된 사파이어 기판에 성장한 GaN의 열처리 효과

진정근 ,  노대호 ,  조용석 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

2003 .01

SAPPHIRE SURFACE MODIFIED BY REACTIVE ION BEAM FOR GaN DEPOSITIONS

Kim ,  H.J. ,  Pa 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

GaN 성장을 위한 기판의 Ion Implantation 전처리에 관한 연구

이재석 ,  진정근 ,  변동진 외 3명

한국재료학회지

2004 .01

HVPE를 이용한 사파이어 기판 위에 GaN의 성장연구 ( Study of Thick GaN Film On Sapphire Using HVPE System )

이정욱 ,  유지범 ,  변동진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

HVPE를 이용한 사파이어 기판 위에 GaN의 성장연구 ( Study of Thick GaN Film On Sapphire Using HVPE System )

이정욱 ,  유지범 ,  변동진 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1996 .01

Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN

손호기 ,  이영진 ,  김진호 외 3명

전기전자재료학회논문지

2016 .01

Properties of AlGaN/GaN as Al contents grown on sapphire(0001) by MOCVD

박현규 ,  강호재 ,  진정근 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

MOCVD법에 의한 GaN에 미치는 사파이어($Al_{2}$$O_{3}$) 질화 처리 효과

정재식 ,  변동진 ,  김병호 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

$N^+$이온주입된 사파이어 (0001)기판이 GaN epilayer에 미치는 영향

조용석 ,  변동진 ,  박용주 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

2001 .01

Si(111) 기판 위에 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN의 성장 특성에 관한 TEM 분석

신희연 ,  정성훈 ,  유지범 외 2명

한국표면공학회지

2003 .04

GaN 에피택셜 층의 열처리 효과

하민우 ,  석오균 ,  안우진 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2012 .11

Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor

Gao ,  Cun-Xu ,  Yu 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

Dry Etching characteristics of GaN Using Reactive Ion Beam

J. W. Lee ,  H. S. Kim ,  Y. J. Pa 외 2명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

질화처리에 의한 기판 평면 평활도의 변화가 GaN 성장에 미치는 영향

정재식 ,  변동진 ,  김병화 외 3명

한국재료학회지

1997 .01

Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD

In Hwan Lee ,  Cheul Ro Lee ,  Seong Jin Son 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

GaN 박막의 활용을 위한 Metal/GaN 접촉과 GaN MESFET의 전기적 특성에 관한 연구

강이구 ,  강호철 ,  이정훈 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .07

GaN 분말의 승화에 의한 Bulk GaN 성장

박기연 ,  김민호 ,  송용선 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01