지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
이 논문의 연구 히스토리 (2)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
사파이어 (0001) 기판의 활성화 이온빔 (RIB) 처리 후 MOCVD에서 성장한 GaN박막의 열처리를 통한 구조 변화를 살펴보고, 전기적 성질의 변화를 관찰하기 위하여 전기로를 이용하여 열처리를 하였다. 시편의 분석을 위하여 DCXRD, Hall, TEM을 사용하였다. 100$0^{\circ}C$에서 시간을 변화시키면서 열처리한 시편에서 DCXRD의 FWHM는 약 50 arc-sec 정도 감소하였고, Hall 이동도는 약 80$\textrm{cm}^2$/V.sec 정도 향상되었다. 가장 좋은 Hall 이동도를 보인 처리된 시편과 처리 전 시편의 TEM 비교 관찰에서 전위 밀도는 56~69% 정도 감소하였고 격자의 변형도 줄어들었다. 이것은 결정의 질과 전기적 성질 사이의 상관관계를 암시하며, 기판의 RIB 처리와 성장 후 적절한 열처리의 조합이 MOCVD로 성장시킨 GaN 박막의 특성을 개선시키는 것을 명확하게 보여준다.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
RIB 처리된 사파이어 기판을 이용하여 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과
한국재료학회 학술발표대회
2000 .01
-
MOCVD를 이용한 GaN 기판 상 GaN 성장층의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2008 .01
-
Growth and Characteristics of Single Crystalline GaN By MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
Si(111) 기판 위에 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN의 성장 특성에 관한 TEM 분석
한국표면공학회지
2003 .04
-
전처리된 사파이어 기판에 성장한 GaN의 열처리 효과
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
-
Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
GaN 에피층 성장을 위한 MOCVD 반응로의 가스 유동에 관한 수치해석 ( Numerical Analysis on the Gas Flows in MOCVD Reactor for the Growth of GaN Epitaxy )
대한기계학회 춘추학술대회
2001 .01
-
GaN 성장을 위한 기판의 Ion Implantation 전처리에 관한 연구
한국재료학회지
2004 .01
-
Properties of AlGaN/GaN as Al contents grown on sapphire(0001) by MOCVD
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
-
Epitaxial Growth and Properties of GaN Grown by Low Pressure MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
MOCVD법에 의한 GaN에 미치는 사파이어($Al_{2}$$O_{3}$) 질화 처리 효과
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
-
Electrical Activity of Si in n-GaN Epilayers Grown by LP-MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
PEMBE Growth of GaN Epilayers on MOCVD Grown GaN
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
-
Growth and characterization using an GaN Buffer Layer by Low Pressure MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
-
Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN
전기전자재료학회논문지
2016 .01
-
Thermal Activation Energies of GaN:Mg grown via MBE and MOCVD techniques
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
-
Time Evolution of a High-temperature GaN EpilayerGrown on a Low-temperature GaN Buffer Layerusing a Low-pressure MOCVD
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2006 .01
-
GaN 에피택셜 층의 열처리 효과
대한전기학회 학술대회 논문집
2012 .11
-
이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0