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저압 CVD에 의한 Si0.8 Ge0.2 막의 Epitaxial Growth ( Epitaxial Growth of Si0.8 Ge0.2 Layer by LPCVD )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2막의 Epitaxial Growth
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
Metal Epitaxial Layer by MBE
한국재료학회 학술발표대회
1992 .01
MBE에 의한 GaAs 에피택셜층 성장 ( GaAs Epitaxial Layer Growth by Molecular Beam Epitaxy )
전자공학회지
1985 .11
축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
고농도 Ge fraction을 갖는 Si₁ₓ-Geₓ막의 Epitaxial Growth에 대한 In-Situ Phosphorus Doping 효과
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
플라즈마를 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Plasma-assisted epitaxial growth of Ge layer on Si ( 100 ) in H2 Plasma )
대한전자공학회 학술대회
1988 .11
IN-SITU PHOSPHORUS HEAVY DOPING ON $Si_{1-x}Ge_x$ EPITAXIAL GROWTH WITH HIGH Ge FRACTION BY USING LPCVD
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
Si1-xGex/Si에피택셜층의 건식산화동안 Ge 재분포
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
MBE에 의한 GaAs 에피택셜 성장 ( 2 ) ( GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE ( 2 ) )
전자공학회논문지
1986 .05
MBE 방법으로 증착된 $Si_{1-x}Ge_x$ 박막의 응력완화
한국재료학회 학술발표대회
1996 .01
성장 온도에 따른 GaAsP/GaP Epitaxial Layer의 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .11
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2 epitaxial growth에 대한 Phosphorus doping 효과
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .11
MBE장치에 의한 에피 성장 두께 균일도 계산 ( Calculations of Thickness Uniformity in Molecular Beam Epitaxial Growth )
전자공학회논문지-A
1993 .08
Low-temperature epitaxial Ge layer growth on Si(100) substrate
한국재료학회 학술발표대회
2007 .01
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2 Epitaxial Growth에 대한 In-situ Phosphorus Doping 효과
전기학회논문지
1998 .12
MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF SHORT PERIOD SUPERLATTICE
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1991 .01
MBE에 의한 GaAs 에피층 성장을 위한 사전처리 과정 ( Preprocess of GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE )
전자공학회논문지
1986 .03
SOLID STATE TEACTIONS IN THE $Co/Si_{1-X}Ge_X$ SYSTEM
Fabrication and Characterization of Advanced Materials
1995 .01
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