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자료유형
학술저널
저자정보
Lee, W.S. (Department of Materials Engineering, Sung Kyun Kwan University) lee, J.H. (Electrinics and Telecommucations Research Institute, Taejeon) yeom, G.Y. (Department of Materials Engineering, Sung Kyun Kwan University)
저널정보
한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제1호
발행연도
1995.1
수록면
777 - 781 (5page)

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We have fabricated ICP sputter cleaning system for the contact cleaning and demonstrated a low-temperature (~15$0^{\circ}C$) cleaning technique for removing native oxide on the Si wafer using $H_2$/Ar inductively coupled plasma at low bias voltages (${\leqq}$-100${\leqq}$). An 13.56 MHz was used to induce the inductively coupled plasma and high density plasmas could be obtained by using 3.5-turn spiral planar coil as an induction coil. The dependence of the Si$O_2$ etch rate on substrate temperature and self-bias voltage has been investigated. The substrate temperature was varied between room temperatrue(3$0^{\circ}C$) and 15$0^{\circ}C$, and a self-bias voltage between -20 and -100V was applied. Also, we have investigated the ion-induced damage subjected on the silicon wafers during the cleaning. The reverse saturation currents of Schottky diodes were evaluated as a measure of ion-induced damage. The high etch rate of Si$O_2$ could be obtained at low temperature (~15$0^{\circ}C$) and low self-bias voltages(-40V~60V) without creating ion-induced damage using $H_2$/Ar ICP. We believe that the $H_2$/Ar sputter cleaning is due to the chemical reation between silicon and hydrogen at the Si$O_2$ surface in addition to the sputtering errects of argon ions.

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