Formation of Mo-Silicide on Mo Tip

Oh, Chang-Woo; Kim, Yoo-Jong; Lee, Jong-Duk; Park, Byung-Gook

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Oh, Chang-Woo (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Kim, Yoo-Jong (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Lee, Jong-Duk (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Park, Byung-Gook (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 학술대회 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집

발행연도: 2000.1

수록면: 217 - 218 (2page)

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This paper describes a formation of the Mo-silicide on Mo tip to compare the emission characteristics of the Mo tip. Cone-shaped Mo tip arrays were fabricated and silicidized by evaporating a 15nm-thick a-Si film on Mo tip arrays and annealing it in inert ambient at the temperature of $1000\;^{\circ}C$ for 60 sec. The $Mo_5Si_3$ phase of Mo-silicide was observed through X-ray diffraction (XRD) analysis. Although the gate voltage of the Mo-silicide tip increased by 38 V to obtain the current level of 20 nA/tip, the dependence of emission current on vacuum level was improved.

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Oh, Chang-Woo

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Kim, Yoo-Jong

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Lee, Jong-Duk

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Park, Byung-Gook

소속기관 Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering and Compu

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