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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2000.1
- 수록면
- 15 - 16 (2page)
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The gate bias stress effect of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin-film transistors (TFTs) with a $SiN_x/BCB$ gate insulator have been studied. The gate planarization was carried out by spin-coating of BCB (benzocyclobutene) on Cr gates. The BCB exhibits charge trappings during a high gate bias, but the stability of the TFT is the same as conventional one when it is between -25 V and +25 V. The charge trap density in the BCB increases with its thickness.
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