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학술저널
저자정보
서영훈 (전북대학교 화학공학부) 김광철 (전북대학교 반도체 과학기술학과, 반도체 물성 연구소) 남기석 (전북대학교 화학공학부) 김동근 (전남대학교 금속공학과) 이병택 (전남대하교 금속공학과) 서은경 (전북대학교 반도체 과학기술학과) 이형재 (전북대학교 반도체 과학기술학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제7권 제8호
발행연도
1997.1
수록면
679 - 686 (8page)

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P-type Si(111)기판 위에 3C-SiC박막 성장시 TMS(tetramethylsilane)유량, 반응온도, 반응압력, 가스공급방법등 다양한 성장변수에 따른 박막의 결정성변화를 연구하였다. 증착된 막은 모두 (111)방향성만을 나타내었고, free Si, C의 존재는 관찰할 수 없었다. TMS 유량 0.5 sccm에서, 1100-120$0^{\circ}C$의 반응온도에서 , 반응압력 12-50Torr 조건에서 비록 dislocation과 twin등이 발결되었으나 단결정 3C-SiC 박막을 성장시킬 수 있었으며, 박막의 결정성은 기판에 흡착된 Si-종과 C-종이migration할 수 있는 시간과 에너지에 크게 영향 받음을 확인할 수 있었다. 또한 SiC/Si계면에서 carbonization공정에서 관찰되는 것으로 알려진 void를 관찰할 수 있었으며, 이러한 void의 발생은 기체공급방법을 달리함으로서 제거할 수 있음을 확인할 수 있었다.

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