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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이영민 (서울시립대학교 신소재공학과) 송오성 (서울시립대학교 신소재공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제12권 제3호
발행연도
2002.1
수록면
200 - 204 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2002

이중 절연층 공정에서 산화시간에 따른 터널자기저항 특성연구
이영민 ,  이기영 ,  송오성 한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집 2002.04 학술대회자료
2단계 AlO 절연층 공정에서 하부절연층의 산화시간에 따른 터널자기저항 특성연구
이영민 ,  송오성 한국재료학회지 2002.01 학술저널

초록· 키워드

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We fabricated TMR devices which have double oxidized tunnel barrier using plasma oxidation method to form homogeneously oxidized AlO tunnel barrier. We sputtered 10 $\AA$-bottom Al layer and oxidized it by varying oxidation time for 5, 10, 20 sec. Subsequent sputtering of 13 $\AA$ - Al was performed and the matallic layer was oxidized for 120 sec. The electrical resistance changed from 700$\Omega$ to 2700$\Omega$ with increase of oxidation time, while variation of MR ratio was little spreading 27~31% which is larger than that of TMR device of ordinary single tunnel barrier. We calculated effective barrier height and width by measuring I-V curves, from which we found the barrier height was 1.3~1.5 eV, sufficient for tunnel barrier, and the barrier width(<16.2 $\AA$) was smaller than that of directly measured value by the tunneling electron microscopy. Our results may be caused by insufficient oxidation of Al precursor into $Al_2O_3$. However, double oxidized tunnel barriers were superior to conventional single tunnel barrier in uniformity and density. We found that the external magnetic field to switch spin direction of ferromagnetic layer of pinned layer breaking ferro-antiferro exchange coupling was increased as bottom layer oxidation time increased. Our results imply that we were able to improve MR ratio and tune switching field by employing double oxidized tunnel barrier process.
#TMR #Plasma oxidation time #Double oxidized Barrier #tunnel Barrier #AlO

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