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자료유형
학술저널
저자정보
원만호 (한국과학기술원 재료공학과) 김성철 (한국과학기술원 재료공학과) 안진형 (한국과학기술원 재료공학과) 김보현 (한국과학기술원 재료공학과) 안병태 (한국과학기술원 재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제12권 제9호
발행연도
2002.1
수록면
724 - 728 (5page)

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Inductively-coupled $N_2$O plasma was utilized to grow silicon dioxide at low temperature and applied to fabricate polycrystalline-silicon thin film transistors. At $400^{\circ}C$, the thickness of oxide was limited to 5nm and the oxide contained Si≡N and ≡Si-N-Si≡ bonds. The nitrogen incorporation improved breakdown field to 10MV/cm and reduced the interface charge density to $1.52$\times$10^{11}$ $cm^2$ with negative charge. The $N_2$O plasma gate oxide enhanced the field effect mobility of polycrystalline thin film transistor, compared to $O_2$ plasma gate oxide, due to the reduced interface charge at the $Si/SiO_2$ interface and also due to the reduced trap density at Si grain boundaries by nitrogen passivation.
#inductively-coupled $N_2$O plasma #low-temperature oxide #interface charge #nitrogen passivation

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