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저자정보
임완태 (인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소) 백인규 (인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소) 이제원 (인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소) 조관식 (인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소) 전민현 (인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제13권 제10호
발행연도
2003.1
수록면
635 - 639 (5page)

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We investigated dry etching of GaAs and AiGaAs in a high density planar inductively coupled plasma system with BCl$_3$and BCl$_3$/Ar gas chemistry. A detailed etch process study of GaAs and ALGaAs was peformed as functions of ICP source power, RIE chuck power and mixing ratio of $BCl_3$ and Ar. Chamber process pressure was fixed at 7.5 mTorr in this study. The ICP source power and RIE chuck power were varied from 0 to 500 W and from 0 to 150 W, respectively. GaAs etch rate increased with the increase of ICP source power and RIE chuck power. It was also found that etch rates of GaAs in $15BCi_3$/5Ar plasmas were relatively high with applied RIE chuck power compared to pure 20 sccm $BCl_3$plasmas. The result was the same as AlGaAs. We expect that high ion-assisted effect in $BCl_3$/Ar plasma increased etch rates of both materials. The GaAs and AlGaAs features etched at 20 sccm $BCl_3$and $15BCl_3$/5Ar with 300 W ICP source power, 100 W RIE chuck power and 7.5 mTorr showed very smooth surfaces(RMS roughness < 2 nm) and excellent sidewall. XPS study on the surfaces of processed GaAs also proved extremely clean surfaces of the materials after dry etching.

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