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In this work, we investigated etching characteristics of HfO₂ thin film and Si using inductive coupled plasma(ICP) system. The ion energy distribution functions in an ICP system was analyzed by quadrupole mass spectrometer(QMS) with an electrostatic ion energy analyzer. The maximum etch rate of HfO₂ thin film is 85.5 ㎚/min at a BCl₃/(BCl₃+Ar) of 20 % and decreased with further addition of BCl₃ gas. From the QMS measurements, the most dominant positive ion energy distributions(IEDs) showed a maximum at 20 % of BCl₃. These tendency was very similar to the etch characteristics. This result agreed with the universal energy dependency of ion enhanced chemical etching yields. And the maximum selectivity of HfO₂ over Si is 3.05 at a O₂ addition of 2 seem into the BCl₃/(BCl₃+Ar) of 20 % plasma.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
3. 결론
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