$BCl_3$ 와 $BCl_3/Ar$ 유도결합 플라즈마에 따른 GaAs 건식식각 비교

임완태; 백인규; 이제원; 조관식; 조국산

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: 임완태 (인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소) 백인규 (인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소) 이제원 (인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소) 조관식 (인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소) 조국산 (&#12828)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회 학술발표대회 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집

발행연도: 2003.1

수록면: 62 - 62 (1page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (5)

2003

BCI₃ 기반 가스를 이용한 GaAs의 고밀도 평판형 유도결합 플라즈마 식각

임완태 , 백인규 , 유승열 외 5명 한국표면공학회지 2003.10 학술저널

BCl 평판형 유도결합 플라즈마를 이용한 GaAs 건식식각

임완태 , 백인규 , 정필구 외 4명 한국재료학회지 2003.01 학술저널

BCl및 BCl/Ar 고밀도 유도결합 플라즈마를 이용한 GaAs와 AlGaS 반도체 소자의 건식식각

임완태 , 백인규 , 이제원 외 2명 한국재료학회지 2003.01 학술저널

$BCl_3$ 와 $BCl_3/Ar$ 유도결합 플라즈마에 따른 GaAs 건식식각 비교

임완태 , 백인규 , 이제원 외 2명 한국재료학회 학술발표대회 2003.01 학술대회자료

BCl3/Ne 혼합가스를 이용한 III-V 반도체의 고밀도 유도결합 플라즈마 식각

임완태 , 조관식 , 백인규 외 1명 전기전자재료학회논문지 2003.01 학술저널

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고밀도 유도결합 플라즈마(high density inductively coupled plasma) 식각은 GaAs 이종접합 양극성 트랜지스터(HBTs)와 고속전자 이동도 트랜지스터(HEMTs)와 같은 GaAs 기반 반도체의 정교한 패턴을 형성하는데 더욱 많이 이용되고 있다 본 연구는 고밀도 플라즈마 소스(source)인 평판형(planar) 고밀도 유도결합 플라즈마 식각장치를 이용하여 $BCl_3$ 와 $BCl_3/Ar$ 가스에 따른 GaAs 식각결과를 비교 분석하였다. 공정변수는 ICP 소스 파워를 0-500W, RIE 척(chuck) 파워를 0-150W, 공정압력을 0-15 mTorr 이었다. 그리고 가스 유량은 20sccm(standard cubic centimeter per minute)으로 고정시킨 상태에서 Ar 첨가 비율에 따른 GaAs의 식각결과를 관찰하였다. 공정 결과는 식각률(etch rate), GaAs 대 PR의 선택도(selectivity), 표면 거칠기(roughness)와 식각후 표면에 남아 있는 잔류 가스등을 분석하였다. 20 $BCl_3$ 플라즈마를 이용한 GaAs 식각률 보다 Ar이 첨가된 (20-x) $BC1_3/x Ar$ 플라즈마의 식각률이 더 우수하다는 것을 알 수 있었다. 식각률 증가는 Ar 가스의 첨가로 인한 GaAs 반도체와 Ar 플라즈마의 충돌로 나타난 결과로 예측된다. $BCl_3$ 와 $BC1_3/Ar$ 플라즈마에 노출된 GaAs 반도체 모두 표면이 평탄하였고 수직 측벽도 또한 우수하였다. 그리고 표면에 잔류하는 성분은 Ga와 As 이외에 $Cl_2$ 계열의 불순물이 거의 발견되지 않아 매우 깨끗함을 확인하였다. 이번 발표에서는 $BCl_3$ 와 $BCl_3/Ar$ 플라즈마를 이용한 GaAs의 건식식각 비교에 대해 상세하게 보고 할 것이다.

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