$GaAs_{0.5}Sb_{0.5}$ 에피층의 규칙상의 원자 배열

임영언

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자료유형: 학술저널

저자정보: 임영언 (충남대학교 공과대학 재료공학과)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제3권 제6호

발행연도: 1993.1

수록면: 678 - 683 (6page)

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MBE법으로 $580^{\circ}C$에서 성장한 $GaAs_{0.5}Sb_{0.5}$/(001)GaAs 에피층의 원자 배열을 TEM을 이용하여 분석하였다. 1/2(111) 형의 장범위 규칙상이 $GaAs_{0.5}Sb_{0.5}$/(001)GaAs 에피층에서 발견되었다. 이 규칙상의 원자 배열은 As의 농도가 높은 {111}As 면과 Sb의 농도가 높은 {l1l}Sb 면이 V족 소격자에 교대로 나열된 구조이며, 주기는 {111} 면간 거리의 2배이다. 이 구조는 R3m 의 공간군에 속하며, 단위포는 능면체정이다.

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주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 재료공학

논문수 37 이용수 33

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