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저자정보
Moon, Min-Hyung (Display Device Center, Samsung Electronics Co.) Kim, Hyun-Jae (Display Device Center, Samsung Electronics Co.) Choi, Kwang-Soo (Display Device Center, Samsung Electronics Co.) Souk, Jun-Hyung (Display Device Center, Samsung Electronics Co.) Seo, Chang-Ki (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) Kim, Do-Young (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) Dhungel, Suresh Kumar (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) Yi, Junsin (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2003.1
수록면
630 - 633 (4page)

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Integrating the driver circuitry directly onto the glass substrate would be one of the advantages of polycrystalline Si (poly-Si) TFT-(LCD). Low-temperature poly-Si TFT(LTPS) is well-suited for higher-definition display applications due to its intrinsically superior electrical characteristics. In order to improve LTPS electrical characteristics, currently the excimer laser-induced crystallization (ELC) processes and sequential lateral solidification method were developed. Grain size of the poly-Si is mainly affected by beam pitch and energy density. Key parameter for making a larger poly-Si using excimer laser annealing(ELA) and increasing a throughput is due to increase in beam pitch and energy density to a certain degree. Furthermore, thin $SiO_{2}$ capping is effective to suppress the protrusion of the poly-Si thin films and to reduce the interface state density. From the ELA process, we are able to control grain size by varying different parameters such as number of shots and energy density.

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