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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
장은정 (안동대학교 신소재공학부) 현승민 (한국기계연구원) 이학주 (한국기계연구원) 박영배 (안동대학교 신소재공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제18권 제4호
발행연도
2008.1
수록면
204 - 210 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2009

3차원 적층패키지의 Cu-Cu 접합부의 정량적 접합강도 평가 및 향상에 관한 연구
장은정 ,  김재원 ,  Bioh Kim 외 5명 한국생산제조학회 학술발표대회 논문집 2009.05 학술대회자료
Cu-Cu 열압착 웨이퍼 접합부의 계면접합강도에 미치는 N2+H2 분위기 열처리의 영향
장은정 ,  현승민 ,  이학주 외 5명 마이크로전자 및 패키징학회지 2009.01 학술저널

2008

3차원 소자 집적을 위한 Cu-Cu 접합의 계면접착에너지에 미치는 후속 열처리의 영향
장은정 ,  현승민 ,  이학주 외 1명 한국재료학회지 2008.01 학술저널
3D IC 패키징을 위한 열처리 효과에 따른 Cu-Cu 접합부의 계면 특성 평가
장은정 ,  현승민 ,  이학주 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 2008.01 학술대회자료

초록· 키워드

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$1.5\;{\mu}m$-thick copper films deposited on silicon wafers were successfully bonded at $415^{\circ}C$/25 kN for 40 minutes in a thermo-compression bonding method that did not involve a pre-cleaning or pre-annealing process. The original copper bonding interface disappeared and showed a homogeneous microstructure with few voids at the original bonding interface. Quantitative interfacial adhesion energies were greater than $10.4\;J/m^2$ as measured via a four-point bending test. Post-bonding annealing at a temperature that was less than $300^{\circ}C$ had only a slight effect on the bonding energy, whereas an oxygen environment significantly deteriorated the bonding energy over $400^{\circ}C$. This was most likely due to the fast growth of brittle interfacial oxides. Therefore, the annealing environment and temperature conditions greatly affect the interfacial bonding energy and reliability in Cu-Cu bonded wafer stacks.
#Adhesion #3-D Integration #4-point bending test #Cu-Cu bonding #post annealing

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참고문헌 (16)

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R. Tadepalli / 2006 / 박사 google schola K. N. Chen / 2005 / Appl. Phys. Lett 86:011903 google schola W. Ruythooren / 2007 / proceedings of the Electronics Packaging Technology Conference :51 google schola J. M. Koo / 2007 / JEM 37(1):118 google schola A, Fan / 1999 / Electrochemical and Solid-Sate Letters 2(10):534 google schola

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