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Silicon carbide nanowires were grown by heat treatment of the films at $1200^{\circ}C$ after amorphous SiC thin films were deposited on graphite substrate by radio frequency magnetron sputtering at $600^{\circ}C$. It was confirmed that SiC nanowires with the diameter of 20-60 nm and length of about 50nm were grown from Field Emission Scanning Election Microscope (FE-SEM) and Transmission Election Microscope (TEM) observation. The diameter of nanowires was increased as heat treatment time is increased. The nanowires were identified to ${\beta}$-SiC single crystalline from X-Ray Diffraction(XRD) analysis. It was observed from this study that deposition temperature of samples was critical to the crystallization of nanowires. On the other hand, the effect of deposition time was insignificant.
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H. ElGazzar / 2010 / Preparation and characterizations of amorphous nanostructured SiC thin films by low energy pulsed laser deposition / Applied Surface Science 256:2056~2060
Siva Kotamraju / 2010 / Low-temperature homoepitaxial growth of 4H-SiC with CH3Cl and SiCl4 precursors / Journal of Crystal Growth 312:645~650
Gong-Yi Li / 2009 / Ultra long SiC nanowires with fluctuating diameters synthesized in a polymer pyrolysis CVD route / Solid State Sciences 11:2167~2172
Feng-Lei Wang / 2009 / SiC Nanowires Synthesized by Rapidly Heating a Mixture of SiO and Arc-Discharge Plasma Pretreated Carbon Black / Nanoscale Res Lett 4:153~156
Li Yanga / 2006 / Formation of β-SiC nanowires by annealing SiC films in hydrogen atmosphere / Physica E 35:146~150
Siva Kotamraju / 2010 / Low-temperature homoepitaxial growth of 4H-SiC with CH3Cl and SiCl4 precursors / Journal of Crystal Growth 312:645~650
Gong-Yi Li / 2009 / Ultra long SiC nanowires with fluctuating diameters synthesized in a polymer pyrolysis CVD route / Solid State Sciences 11:2167~2172
Feng-Lei Wang / 2009 / SiC Nanowires Synthesized by Rapidly Heating a Mixture of SiO and Arc-Discharge Plasma Pretreated Carbon Black / Nanoscale Res Lett 4:153~156
Li Yanga / 2006 / Formation of β-SiC nanowires by annealing SiC films in hydrogen atmosphere / Physica E 35:146~150
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