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자료유형
학술저널
저자정보
박종선 (단국대학교 응용물리학과) 김용민 (단국대학교 응용물리학과)
저널정보
조선대학교 기초과학연구원 조선자연과학논문집 조선자연과학논문집 제2권 제3호
발행연도
2009.1
수록면
207 - 210 (4page)

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Multiple rugate structures can be etched on a silicon wafer and placed in the same physical location, showing that many sharp spectral lines can be obtained in the optical reflectivity spectrum. Porous silicon samples were prepared by electrochemical etch of heavily doped p-type silicon wafers. The etching solution consisted of a 3:1 volume mixture of aqueous 48% hydrofluoric acid and absolute ethanol. Galvanostatic etch was carried out in a Teflon cell by using a two-electrode configuration with a Pt mesh counterelectrode. A sinusoidal current density waveform varying between 51.5 and $74.6mA/cm^2$ is applied. The anodization current was supplied by a Keithley 2420 high-precision constant current source which is controlled by a computer to allow the formation of PSi multilayer.
#Porous silicon #Etch current #Reflectivity

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