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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.3
- 수록면
- 135 - 140 (6page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.3.135
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Atomically thin MoS2 single crystals have a two-dimensional structure and exhibit semiconductor properties,and have therefore recently been utilized in electronic devices and circuits. In this study, we have fabricated a field effecttransistor (FET), using a CVD-grown, 3 nm-thin, MoS2 single-crystal as a transistor channel after transfer onto a SiO2/Sisubstrate. The MoS2 FETs displayed n-channel characteristics with an electron mobility of 0.05 cm2/V-sec, and a currenton/off ratio of ION/IOFF?5×104. Application of bottom-gate voltage stresses, however, increased the interface charges onMoS2/SiO2, incurred the threshold voltage change, and degraded the device performance in further measurements.
Exposure of the channel to UV radiation further degraded the device properties.
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