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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
한준희 (성균관대학교) 우기룡 (삼성전자) 최재우 (삼성전자) 나완수 (성균관대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제32권 제3호(통권 제286호)
발행연도
2021.3
수록면
257 - 268 (12page)

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본 논문에서는 커넥터의 설계를 효율적으로 수행하기 위한 EM 시뮬레이션 및 분석 방법을 제안한다. 높은 동작 주파수를 갖는 시스템에서 사용되는 커넥터는 다양한 매질로 구성되며, 내부 선로 또한 복잡한 구조를 가지고 있기 때문에 선로의 불연속 부분의 각각을 임피던스 정합하기가 매우 어렵다. 따라서 설계 단계에서 이러한 임피던스 불연속을 예측 및 수정하는 과정은 필수이다. 또한 전체 시스템에 장착된 커넥터의 성능 저하 및 기판 사이의 전자기적 결합 현상을 사전에 파악하기 위해 EM 시뮬레이션을 통해서 특성을 예측하는 과정을 필수적으로 수행하게 되며, 따라서 시뮬레이션의 정확도 및 소요시간은 커넥터의 설계단계에서 중요하게 고려되어야 할 문제이다. 본 논문은 효율적인 시뮬레이션을 위하여 부분 해석 결합 모델을 제안하며, 해당 방법을 통해서 구한 S-파라미터를 이용해서 과도상태 시뮬레이션을 수행하고, TDR 임피던스를 추출하였다. 부분 해석은 특히 PCB 사이의 EM 커플링을 고려하여 커넥터와 주변 시스템으로 나누었으며, 각각 8×8 S-파라미터와 16×16 S-파라미터를 추출하였고, 측정을 위한 SMA 커넥터부의 2×2 S-파라미터를 포함한다. 끝으로 전체 전자기장 해석 모델, 부분 해석 결합 모델, 그리고 실측 데이터 사이의 결과, 비교를 통해서 본 논문에서 제시한 부분 해석 결합 모델이 유효함을 보였다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 전체 커넥터 시스템의 전자기장 해석 (Full EM Simulation)
Ⅲ. 커넥터의 부분 해석 결합 모델 (Assembled EM Simulation)
Ⅳ. 커넥터의 전달 특성 측정 및 분석
Ⅴ. 결론
References

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