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논문 기본 정보
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- 저널정보
- 한국전자파학회JEES Journal of Electromagnetic Engineering And Science Journal of Electromagnetic Engineering And Science Vol.22 No.3
- 발행연도
- 2022.5
- 수록면
- 291 - 295 (5page)
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In this work, we report hot carrier-induced degradation in normally-on AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with a 0.25-μm gate. To analyze the hot carrier effect, the semi-on state stress test was carried out and the DC and pulsed I-V characteristics were analyzed. The stress condition was set at the gate voltage of -3.8 V and the drain voltage of 40 V, where the drain current was at 10% of the maximum. After a stress test, the positive shift of the threshold voltage was observed and the drain current was decreased by 19%. In addition, the gate and drain lag phenomena were pronounced when measured by the pulse with a 1.23% duty cycle. The device degradation can be attributed to the hot electron-induced trapping during the semi-on stress test, which imposed the high electric field and the low channel temperature in the device.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. DEVICE STRUCTURE AND METHODOLOGY
III. MEASURED RESULTS
IV. CONCLUSION
REFERENCES
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