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김민지 (부산대학교) 정선호 (부산대학교) 신영일 (부산대학교) 박영욱 (부산대학교) 정해도 (부산대학교)
저널정보
Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Vol.39 No.8
발행연도
2022.8
수록면
547 - 555 (9page)
DOI
10.7736/JKSPE.022.028

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Chemical Mechanical Planarization (CMP) is an essential process for device integration and planarization in a semiconductor manufacturing process. The most critical function in the CMP process, is to predict and cover the geometrical characteristics of various sizes and densities, of patterned wafers for local and global planarization. To achieve the wafer-level and die-level planarization, it is necessary to understand the contact mechanism between the CMP pads and the macro-scale patterns. In the macro-scale pattern, pad deformation is divided into two layers: an asperity layer and a bulk pad layer. Through bulk pad deformation, asperity contact distribution within the pattern is predicted. In this paper, the distribution of asperity contact according to the pattern geometrical characteristics was analyzed, through large-area real contact area (RCA) measurement. Bulk pad deformation was predicted by analyzing RCA distribution according to pattern geometry such as pattern size and density, pattern shape and step height according to the polishing time, and applied pressure. Additionally, through the distribution of the contact area and the number of contact points, the rounding phenomenon and planarization characteristics in the pattern CMP were predicted.
#Chemical mechanical planarization (화학적 기계적 평탄화) #Real contact area (실 접촉 면적) #Pad deformation (패드 변형) #Pattern geometry (패턴 지형)

목차

1. 서론
2. 디바이스 패턴과 CMP 패드의 접촉
3. 실 접촉 면적 측정 및 분석
4. 결론
REFERENCES

참고문헌 (18)

참고문헌 신청
Zantye, P. B., Kumar, A., Sikder, A., (2004), Chemical mechanical planarization for microelectronics applications, Materials Science and Engineering: R: Reports, 45(3-6), 89-220. google schola Lee, H., Sung, I.-H., (2019), Chemical mechanical polishing: A selective review of R&D trends in abrasive particle behaviors and wafer materials, Tribology and Lubricants, 35(5), 274-285. google schola Luo, J., Dornfeld, D. A., (2001), Material removal mechanism in chemical mechanical polishing: theory and modeling, IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 14(2), 112-133. google schola Wang, D., Lee, J., Holland, K., Bibby, T., Beaudoin, S., Cale, T., (1997), Von mises stress in chemical-mechanical polishing processes, Journal of the Electrochemical Society, 144(3), 1121. google schola Fu, G., Chandra, A., Guha, S., Subhash, G., (2001), A plasticitybased model of material removal in chemical-mechanical polishing (CMP), IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 14(4), 406-417. google schola

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