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저자정보
정경우 (부산대학교) 정선호 (부산대학교) 신소민 (부산대학교) 최진욱 (부산대학교) 정해도 (부산대학교)
저널정보
Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Vol.38 No.2
발행연도
2021.2
수록면
87 - 95 (9page)
DOI
10.7736/JKSPE.020.082

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Chemical Mechanical Planarization (CMP) is an essential process for flattening the surface of the wafer to produce a fine structure. The CMP process is performed after a break-in step prior to optimizing the polishing pad. Break-in consists of the conditioning step and warming-up step. In the conditioning step, a conditioner embedded with diamonds is used to remove residues from the pad surface and manages the directionality and height deviation of asperities on the surface. The warming-up step serves to increase the temperature of the pad surface by polishing multiple wafers. The temperature in the warming-up step is raised due to friction between the wafer and pad, and the pad state is divided into a partly warmed up section, a transition section, and a fully warmed up section of the pad. In this study, as the wafer pressure increased in the warm-up stage, the time for the pad to reach the stable section was confirmed, and the break-in mechanism was analyzed in terms of surface characteristics and mechanical properties, such as surface photograph, surface roughness of the pad, and elastic modulus of pad asperities. Based on these results, the break-in mechanism that increases the material removal rate was analyzed.
#Chemical mechanical planarization (화학적 기계적 평탄화) #Pad asperity (패드 돌기) #Temperature (온도) #Break-in (브레이크 인) #Real contact area (실 접촉 면적)

목차

1. 서론
2. 이론적 배경
3. 브레이크 인 조건에 따른 실험 및 측정
4. 실험 및 측정 결과
5. 결론
REFERENCES

참고문헌 (18)

참고문헌 신청
Lai, C. L. and Lin, S. H., “Electrocoagulation of Chemical Mechanical Polishing (CMP) Wastewater from Semiconductor Fabrication,” Chemical Engineering Journal, Vol. 95, Nos. 1-3, pp. 205-211, 2003. google schola Wang, C., Sherman, P., Chandra, A., and Dornfeld, D., “Pad Surface Roughness and Slurry Particle Size Distribution Effects on Material Removal Rate in Chemical Mechanical Planarization,” CIRP Annals, Vol. 54, No. 1, pp. 309-312, 2005. google schola Jeong, H., Park, K., and Cho, K., “CMP Pad Break-In Time Reduction in Silicon Wafer Polishing,” CIRP Annals, Vol. 56, No. 1, pp. 357-360, 2007. google schola Park, K., Park, J., Park, B., and Jeong, H., “Correlation between Break-In Characteristics and Pad Surface Conditions in Silicon Wafer Polishing,” Journal of Materials Processing Technology, Vol. 205, Nos. 1-3, pp. 360-365, 2008. google schola Park, K. and Jeong, H., “Investigation of Pad Surface Topography Distribution for Material Removal Uniformity in CMP Process,” Journal of the Electrochemical Society, Vol. 155, No. 8, pp. H595-H602, 2008. google schola

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