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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.6
- 수록면
- 134 - 137 (4page)
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Matal-assisted chemical etching (MacEtch) is a wet etching technique that can selectively and anisotropically etch only the area covered with a metal catalyst using an acid and an oxidizing agent. This technique has been used to create surface structures in semiconductors such as silicon and GaAs that have a narrow bandgap. Metal-assisted anodic etching (MAAE) is a technique that applies voltage instead of mixing an oxidizing agent in the etchant of MacEtch. We tried to fabricate a microscale structure by applying this process to use Ge with high carrier mobility and absorption coefficient as an optoelectronic device. Conditions with better etching properties were established by controlling the magnitude of voltage, the shape of the catalyst pattern, and the metal catalyst thickness, which are factors affecting Ge metal-assisted anodic etching. Furthermore, we developed an economical and simple Ge etching process by devising a more simplified chemical-free metal-assisted anodic etching process.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 구현
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
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