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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.11
- 수록면
- 544 - 551 (8page)
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As the degree of integration increases in the semiconductor industry, the line width of products is narrowing. As a result, high technology is required for dry etching equipment, and the cost of the components in the chamber has increased due to material changes. Focus Ring, which accounts for a high cost, is an important part that allows Wafer in Chamber to be positioned in the center of Focus Ring with a doughnut-shaped ring, and after Plasma is generated, Plasma is uniformly focused from Center to Edge. It is a part that is exposed to Plasma and etched during use time, which changes the Sheath and affects the process, and is discarded after one cycle of use. Products designed before D20 used Focus Ring as Si material, but gradually the power size used increased and etching progressed rapidly. In order to improve this, the material was changed to SiC, and the amount of etching was reduced compared to Si, but the cost was increased. In this paper, SiC Focus Ring, which is manufactured using a chemical vapor deposition (CVD) method, is reproduced using a CVD method, and the physical characteristics before and after and the process progression are studied and concluded by statistical analysis.
목차
Abstract
I. 서론
II. SiC및 Focus Ring 제작, 재생 방법에 대한 고찰
Ⅲ. 실험 및 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
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