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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.2
- 수록면
- 115 - 118 (4page)
- DOI
- http://dx.doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.2.115
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본 논문에서는 광민감도가 매우 우수하며 광학적 밴드갭이 넓은 비정질실리콘 산화막을 플라즈마 화학기상증착을 통하여 개발하였다. 특히, 수소 및 이산화탄소 가스의 희석을 최적화하면서 여타 연구와는 다르게 100-150oC의 극저온에서 증착하였다. 이 비정질실리콘 산화막은 105 이상의 광민감도와 1.81-1.85 eV 수준의 넓은 밴드갭을 가지며, 100oC에서 제작되는 비정질실리콘 산화막 태양전지에 응용되었을 때 0.987 V의 높은 개방전압이 달성되었다. 또한, 이 때 얻어졌던 6.87% 의 광전변환 효율은 새롭게 개발된 n-type nc-SiOx:H/ZnO:Al/Ag 3중 구조의 후면 반사극대화 구조를 적용하면서, 단락전류의 향상에 따른 변환효율의 향상이 7.77%까지 가능함이 확인되었다.
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Soohyun Kim / 2013 / Remarkable progress in thin-film silicon solar cells using high-efficiency triple-junction technology / Solar Energy Materials and Solar Cells 119:26~35
Jan-Willem Schüttauf / 2015 / Amorphous silicon–germanium for triple and quadruple junction thin-film silicon based solar cells / Solar Energy Materials and Solar Cells 133:163~169
G. W. Shu / 2013 / Optical coupling from InGaAs subcell to InGaP subcell in InGaP/InGaAs/Ge multi-junction solar cells / Optics Express 21(S1):A123
Jaran Sritharathikhun / 2013 / Optimization of an i-a-SiOx:H absorber layer for thin film silicon solar cell applications / Thin Solid Films 546:383~386
Jaran Sritharathikhun / 2011 / High quality hydrogenated amorphous silicon oxide film and its application in thin film silicon solar cells / Current Applied Physics 11(1):S17~S20
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Jaran Sritharathikhun / 2013 / Optimization of an i-a-SiOx:H absorber layer for thin film silicon solar cell applications / Thin Solid Films 546:383~386
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