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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.8
- 수록면
- 484 - 490 (7page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.8.484
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용액 공정을 이용하여 IZO 박막 기반의 저항 스위칭 메모리를 제안하였다. IZO 제작 시 indium과 zinc를 6:4의 비율로 제작하였고, I-V curve 측정을 통해 전류량과 방향에 따른 write, erase가 가능함을 확인하였다. 또한 maximum ON/OFF current ratio가 대략 2.5 V의 전압을 인가했을 때 3.6 × 103까지 도달하고, minimum ON/OFF current ratio가 대략 2.9 V의 전압을 인가했을 때 1.0 × 101임을 통해 current hysteresis를 확인함으로써 저항 기반의 비휘발성 메모리 소자의 특성을 측정하였다.
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Navaneethan Duraisamy / 2012 / Fabrication of TiO2 thin film memristor device using electrohydrodynamic inkjet printing / Thin Solid Films 520(15):5070~5074
J.C. Bernede / 1985 / Differential negative resistance in metal/insulator/metal structures with an upper bilayer electrode / Thin Solid Films 131(3-4):L61~L64
Kamran Eshraghian / 2011 / Memristor MOS Content Addressable Memory (MCAM): Hybrid Architecture for Future High Performance Search Engines / IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 19(8):1407~1417
Sungho Kim / 2009 / A Comprehensive Study of the Resistive Switching Mechanism in $\hbox{Al/TiO}_{x}/\hbox{TiO}_{2}/\hbox{Al}$-Structured RRAM / IEEE Transactions on Electron Devices 56(12):3049~3054
J. Rodrı́guez Contreras / 2003 / Resistive switching in metal–ferroelectric–metal junctions / Applied Physics Letters 83(22):4595~4597
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