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논문 기본 정보
- 자료유형
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- 발행연도
- 2021.12
- 수록면
- 25 - 29 (5page)
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본 연구에서는 HVPE 방법을 사용하여 Ni-Pd and Carbon-Nanotube nanoalloys (Ni-Pd-CNT) 위에 α-Ga2O3 을 성장시켜 Ni-Pd-CNT에 따른 효과를 확인하였다. 그 결과, 무전해 Ni 도금 시간 40초에서 성장한 α-Ga2O3 에피층의두께는 11 μm로 확인되었다. 또한, α-Ga2O3 에피층의 표면 형태는 균열 발생 없이 기판에 대한 우수한 접착력을 보여주었다. 결과적으로, 성장과정에서 발생한 수평 성장에 의해 α-Ga2O3 대의 비대칭면인 (1014) FWMH 값을 크게 감소할 수있었다.
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H. Sun / 2018 / HCl Flow-Induced Phase Change of α-, β-, and ϵ-Ga2O3 Films Grown by MOCVD, Cryst / Growth Des. 18:2370~2376
D. Shinohara / 2008 / Heteroepitaxy of corundum-structured α-Ga2O3 thin films on α-Al2O3 substrates by ultrasonic mist chemical vapor deposition / Jpn. J. Appl. Phys. 47:7311~7313
K. Kaneko / 2012 / Evaluation of Misfit Relaxation in α-Ga2O3 Epitaxial Growth on α-Al2O3Substrate / Jpn. J. Appl. Phys. 51:020201
이경렬 / 2020 / 열처리 공정을 이용한 Si-doped β-Ga2O3 박막의 전기적 특성의 이해 / 마이크로전자 및 패키징학회지 27(4):19~24
S. J. Pearton / 2018 / Perspective : Ga2O3for ultra-high power rectifiers and MOSFETS / J. Appl. Phys. 124
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