메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
오데레사 (청주대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제19권 제5호
발행연도
2018.10
수록면
382 - 386 (5page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s42341-018-0055-3

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색

초록· 키워드

오류제보하기
To research the CO 2 sensibility of ZnO based on the oxide semiconductor, ZnO, fi lms were prepared with various annealingtemperatures and the current?voltage characteristics of the ZnO and SnO 2 fi lms were measured in diff erent CO 2 ambientconditions using the structure of a metal/semiconductor/Si-wafer. The oxygen vacancy of ZnO changed with the annealingtemperatures, and ZnO with the lowest content of oxygen vacancy had two junctions due to its structural matching anddegradation of oxygen vacancy at the interface. The oxide semiconductor with two junctions displayed good sensibility ofCO 2 gas. The eff ect of the two junctions at the ZnO and SnO 2 thin fi lms were observed by the annealing treatment at 110 °C. The oxygen vacancy was closely related with the conductivity of the oxide semiconductor and sensibility of CO 2 gas. Thetwo-junction eff ect for the Schottky contact to assure a high quality semiconductor device will contribute to further strategicresearches to develop the ionic gas sensor application.

목차

등록된 정보가 없습니다.

참고문헌 (6)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0