Correlation between the Annealing Effect and the Electrical Characteristics of the Depletion Region in ZnO, SnO2 and ZTO Films

Teresa Oh

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자료유형: 학술저널

저자정보: Teresa Oh

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제17권 제2호

발행연도: 2016.1

수록면: 104 - 108 (5page)

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To research the correlation between oxygen vacancy and the electrical characteristics of ZTO, which is made by using a target mixed ZnO:SnO2=1:1, the ZnO, SnO2 and ZTO were analyzed by PL, XPS, XRD patterns and electrical properties. It was compared with the electron orbital spectra of O 1s in accordance with the electrical characteristics of ZnO, SnO2 and ZTO. The electrical characteristics of ZTO were improved by increasing the annealing temperatures, due to the high degree of crystal structures at a high temperature, and the physical properties of ZTO was similar to that of ZnO. The amorphous structure of SnO2 was increased with increasing the temperature. The Schottky contact of oxide semiconductors was formed using the depletion region, which is increased by the electron-hole combination due to the annealing processes. ZnO showed the Ohmic contact in spite of a high annealing temperature, but SnO2 and ZTO had Schottky contact. As such, it was confirmed that the electrical properties of ZTO are affected by the molecules of SnO2.

#ZnO #SnO2 #ZTO #XPS #Oxygen vacancy #Depletion region #XRD

참고문헌 (19)

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Teresa Oh / 2016 / Tunneling condition at high Schottky barrier and ambipolar transfer characteristics in zinc oxide semiconductor thin film transistor / Materials Research Bulletin 77:1~7

M. E. Lopes / 2009 / Gate-bias stress in amorphous oxide semiconductors thin-film transistors / Applied Physics Letters 95(6):063502

Takashi Hirao / 2008 / Bottom-Gate Zinc Oxide Thin-Film Transistors (ZnO TFTs) for AM-LCDs / IEEE Transactions on Electron Devices 55(11):3136~3142

J. Maserjian / 1982 / Appl. Phys. Lett 53:559

L. Plantier / 2006 / Microelectron. Eng 83:2407

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