Investigation of NBTI Effect in P-Type Junctionless Transistor with Uniform and Graded Doping Profiles

Naheeda Reshi; M. W. Akram; Mudasir Ahmad Sheikh

doi:https://doi.org/10.1007/s42341-021-00287-3

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자료유형: 학술저널

저자정보: Naheeda Reshi (Jamia Millia Islamia) M. W. Akram (Jamia Millia Islamia) Mudasir Ahmad Sheikh (Jamia Millia Islamia)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제22권 제5호

발행연도: 2021.10

수록면: 700 - 710 (11page)

DOI: https://doi.org/10.1007/s42341-021-00287-3

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This paper presents the reliability effect analysis of Negative Bias Temperature Instability (NBTI) in p-type junctionless transistor (JLT) under uniform and non-uniform doping profiles using Global TCAD Solution. The work compares the change in threshold voltage ( ΔVth ) with the stress time and relaxation time for uniform and non-uniform doping profile in long and short channel p-type JLT. When negative Vgs and Vds are applied in the device, large number of interface traps are generated due to the dissociation of Si?H bonds along with the silicon-oxide interface. This results in the subsequent increase in the threshold voltage (Vth), thereby decreasing the driving capability and hence affects the device performance. Further, it is observed, increase in temperature causes more increase in the threshold voltage (Vth). This eff ect is due to breaking of more Si?H bonds, generating more interface traps. Simulation results after comparison shows that this change in ΔVth under stress is more in non-uniform than in uniform p-type JLT, this is due to the fact that an increase of trap charges on uniform p-type JLT is less compared to non-uniform p-type JLT. It is also observed that short-channel devices are more prone to NBTI effect.

#Reliability #NBTI #PMOSFET #Global TCAD #Threshold voltage #Junctionless transistors

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B. C. Paul / 2005 / Impact of nbti on the temporal performance degradation of digital circuits / IEEE Electron Dev. Lett 26(8):560~562

B. Kaczer / 2011 / Atomistic approach to variability of bias-temperature instability in circuit simulations / Proceedings of the 2011 international reliability physics symposium :XT?3

J. P. Colinge / 2007 / Multi-gate soi mosfets / Microelectron. Eng 84(9?10):2071~2076

J. -P. Colinge / 2010 / Nanowire transistors without junctions / Nat. Nanotechnol 5(3):225

I. Capan / 2014 / Silicon and germanium nanocrystals : properties and characterization / Beilstein J. Nanotechnol 5(1):1787~1794

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