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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.3
- 수록면
- 146 - 151 (6page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.3.146
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In this study, we compared the threshold-voltage extraction methods of accumulation-type JLDG (junctionlessdouble-gate) MOSFETs (metal-oxide semiconductor field-effect transistors). Threshold voltage is the most basic elementof transistor design; therefore, accurate threshold-voltage extraction is the most important factor in integrated-circuitdesign. For this purpose, analytical potential distributions were obtained and diffusion-drift current equations for thesepotential distributions were used. There are the min method, based on the physical concept; the linear extrapolationmethod; and the second and third derivative method from the ? ? relation. We observed that the threshold-voltagesextracted using the maximum value of TD (third derivatives) and the min method were the most reasonable in JLDGMOSFETs. In the case of 20 nm channel length or more, similar results were obtained for other methods, except forthe linear extrapolation method. However, when the channel length is below 20 nm, only the min method and the TDmethod reflected the short-channel effect.
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R. D. Trevisoli / 2013 / Solid-State Electron. 90:12
A. Ortiz-Conde / 2013 / Microelectron. Reliab. 53:90
F. J. Garcia-Sanchez / 2006 / Microelectron. Reliab. 46:731
C. Jiang / 2015 / AIP Adv. 5:057122
J. S. Wong / 2001 / Proc. Technical Proceedings of the 2001 International Conference on Modeling and Simulation of Microsystems :534
A. Ortiz-Conde / 2013 / Microelectron. Reliab. 53:90
F. J. Garcia-Sanchez / 2006 / Microelectron. Reliab. 46:731
C. Jiang / 2015 / AIP Adv. 5:057122
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