Controlling of the heterogeniously growing GaN polycrystals using a quartz ring in the edge during the HVPE-GaN bulk growth

박재화; 이희애; 박철우; 강효상; 이주형; 인준형; 이승국; 심광보

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박재화 (한양대학교) 이희애 (한양대학교) 박철우 (한양대학교) 강효상 (한양대학교) 이주형 (한양대학교) 인준형 (한양대학교) 이승국 (UNIMO Photron) 심광보 (한양대학교)

저널정보: 한양대학교 세라믹공정연구센터 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제19권 제5호

발행연도: 2018.10

수록면: 439 - 443 (5page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (4)

2019

(A) study on growth of bulk GaN single crystal by HVPE and improvement of GaN wafer yield

박재화 신소재공학과 2019.01 학위논문

2018

Controlling of the heterogeniously growing GaN polycrystals using a quartz ring in the edge during the HVPE-GaN bulk growth

박재화 , 이희애 , 박철우 외 5명 Journal of Ceramic Processing Research 2018.10 학술저널

2017

HVPE 법에서의 공정변수 조절에 의한 bulk GaN 단결정의 두께 최적화

박재화 , 이희애 , 이주형 외 7명 한국결정성장학회지 2017.01 학술저널

2015

HVPE 법으로 성장시킨 bulk GaN 단결정의 특성평가

박재화 신소재공 2015.01 학위논문

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The outstanding characteristics of high quality GaN single crystal substrates make it possible to apply the manufacture of highbrightness light emitting diodes and power devices. However, it is very difficult to obtain high quality GaN substrate becausethe process conditions are hard to control. In order to effectively control the formation of GaN polycrystals during the bulkGaN single crystal growth by the HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method, a quartz ring was introduced in the edge ofsubstrate. A variety of evaluating method such as high resolution X-ray diffraction, Raman spectroscopy andphotoluminescence was used in order to measure the effectiveness of the quartz ring. A secondary ion mass spectroscopy wasalso used for evaluating the variations of impurity concentration in the resulting GaN single crystal. Through the detailedinvestigations, we could confirm that the introduction of a quartz ring during the GaN single crystal growth process usingHVPE is a very effective strategy to obtain a high quality GaN single crystal.

#HVPE #GaN #Quartz ring

참고문헌 (23)

참고문헌 신청

H. Amano / 1986 / Appl. Phys. Lett 48:353

S. Nakamura / 1993 / Jpn. J. Appl. Phys 32:L16

S. Nishida / 2001 / Phys. Status Soldi (a) 188:113

P. Von Dollen / 2014 / Angew. Chem. Int. Ed 53:13975

K. Fujito / 2009 / J. Cry. Growth 311:3011~3014

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