HVPE 법에서의 공정변수 조절에 의한 bulk GaN 단결정의 두께 최적화

박재화; 이희애; 이주형; 박철우; 이정훈; 강효상; 강석현; 방신영; 이성국; 심광보

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박재화 이희애 이주형 박철우 이정훈 강효상 강석현 방신영 이성국 심광보

저널정보: 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제27권 제2호

발행연도: 2017.1

수록면: 89 - 93 (5page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (4)

2019

(A) study on growth of bulk GaN single crystal by HVPE and improvement of GaN wafer yield

박재화 신소재공학과 2019.01 학위논문

2018

Controlling of the heterogeniously growing GaN polycrystals using a quartz ring in the edge during the HVPE-GaN bulk growth

박재화 , 이희애 , 박철우 외 5명 Journal of Ceramic Processing Research 2018.10 학술저널

2017

HVPE 법에서의 공정변수 조절에 의한 bulk GaN 단결정의 두께 최적화

박재화 , 이희애 , 이주형 외 7명 한국결정성장학회지 2017.01 학술저널

2015

HVPE 법으로 성장시킨 bulk GaN 단결정의 특성평가

박재화 신소재공 2015.01 학위논문

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다양한 성장온도, V/III 비율, 성장속도과 같은 공정변수의 조절을 통하여 GaN 단결정을 성장시키고, 그에 따른표면 및 재료 내부의 결함분석을 통하여 고휘도 ·고출력의 소자적용을 위한 bulk GaN 단결정의 두께를 최적화하였다. 2인치 직경의 sapphire 기판 위에 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 공정변수들을 조절하여, 0.3~7.0 mm 두께의 GaN 결정을성장시켰다. 성장된 GaN 단결정의 구조분석을 위하여 XRD 분석을 사용하였고, 공정변수의 변화에 따른 표면 특성은 광학현미경을 이용하여 관찰하였다. 성장된 두께에 따른 결함밀도 분석을 위하여 화학습식 에칭하였고, 에칭된 표면을 SEM으로 관찰하였다.

#HVPE #GaN #Dislocation density #Hexagonal V-pit

참고문헌 (17)

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D. Brunner / 1997 / Optical constants of epitaxial AlGaN films and their temperature dependence / J. Appl. Phys. 82 : 5090 ~

D. Ehrentraut / 2009 / Advances in bulk crystal growth of AlN and GaN / MRS Bull 34 : 259 ~

D. G. Zhao / 2010 / An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells / J. Alloys Compd. 489 : 461 ~

D. K. Oh / 2012 / Surface morphology and optical property of thermally annealed GaN substrates / J. Cryst. Growth 356 : 22 ~

D. Zhu / 2013 / Prospects of III-nitride optoelectronics grown on Si / Rep. Prog. Phys. 76 : 106501 ~

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