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송지호 (한양대학교) 김학영 (한양대학교) 송윤흡 (한양대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2023년도 대한전자공학회 하계학술대회 논문집
발행연도
2023.6
수록면
382 - 385 (4page)

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We focus on program and interference with scaling for bit density. We confirmed that Gate All Around with Back gate (GAAB) had improved program characteristics rather than Gate All Around (GAA) in this paper. This because GAAB has wide field distribution, and this phenomenon was accelerated with vertical scaling. However, interference was degraded rather than GAA with wide trap charge distribution. Finally, with both characteristics, we confirmed that GAAB has better scalability than GAA under ON pitch=40nm and under ON pitch=37.5nm under hole pitch=90nm.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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