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저자정보
권상욱 (단국대학교) 서우열 (단국대학교) 구용서 (단국대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2023년도 대한전자공학회 하계학술대회 논문집
발행연도
2023.6
수록면
684 - 687 (4page)

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In this paper, we propose an ESD protection device with higher holding voltage characteristics than existing ESD protection devices. The proposed ESD protection device increases the holding voltage by operating an additional parasitic NPN bipolar transistor. As a result, it was confirmed that the proposed ESD protection device has a holding voltage of 5.9V. In addition, it is expected that through Stack technology, it will be possible to design ESD protection devices corresponding to the voltages required by various applications.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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