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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
권상욱 (단국대학교) 서우열 (단국대학교) 구용서 (단국대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2023년도 대한전자공학회 하계학술대회 논문집
발행연도
2023.6
수록면
684 - 687 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2023

N-Stack 기술이 적용된 추가적인 기생 NPN 바이폴라 트랜지스터로 인한 높은 홀딩 전압을 갖는 ESD 보호소자에 관한 연구
권상욱 ,  서우열 ,  구용서 대한전자공학회 학술대회 2023.06 학술대회자료

2018

Stack 기술을 이용한 높은 홀딩 전압과 향상된 감내 특성을 갖는 ESD 보호회로에 관한 연구
권상욱 ,  채희국 ,  도경일 외 1명 대한전자공학회 학술대회 2018.11 학술대회자료

초록· 키워드

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In this paper, we propose an ESD protection device with higher holding voltage characteristics than existing ESD protection devices. The proposed ESD protection device increases the holding voltage by operating an additional parasitic NPN bipolar transistor. As a result, it was confirmed that the proposed ESD protection device has a holding voltage of 5.9V. In addition, it is expected that through Stack technology, it will be possible to design ESD protection devices corresponding to the voltages required by various applications.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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