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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
서정주 (DanKook Unversity) 권상욱 (DanKook Unversity) 도경일 (DanKook Unversity) 이병석 (DanKook Unversity) 구용서 (DanKook Unversity)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제23권 제1호
발행연도
2019.3
수록면
338 - 341 (4page)

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본 논문에서는 대표적인 ESD 보호소자인 LVTSCR의 특성을 향상시킨 새로운 구조의 ESD소자를 제안하고 특정 application의 각 요구전압에 최적화된 설계를 위한 N-stack 기술에 대하여 검증한다. 주요 파라미터인 홀딩전압과 트리거전압에 대하여 특성을 파악하고 감내특성의 지표인 온도특성 또한 검증한다. well영역의 추가구성과 기생 npn BJT를 추가로 직렬 연결된 구조를 형성하여 보다 향상된 전기적 특성을 갖는다. 특성 검증을 위해 synopsys 사의 T-cad simulation tool을 이용하였다.
#ESD #SCR #BJT #holding voltage

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
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