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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.5
- 수록면
- 381 - 386 (6page)
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The crosstalk voltage generated by high-speed switching of SiC devices may introduce false turn-on or over-negative gate-source voltage of the power devices. The conventional Miller clamp method is only adopted to minimize the crosstalk voltage introduced by capacitive coupling among the gate-loop and power loop. In light of the capacitive and inductive coupling introduced crosstalk voltage, this paper proposes a highly effective crosstalk voltage suppression circuit considering their effects together. To eliminate the influence of the voltage drop on the coupling inductor between the power loop and gate driving loop, a bidirectional high impedance auxiliary switch is adopted instead of the conventionally adopted Miller clamp circuit when there exists voltage/current step change in the power circuit. Meanwhile, the potential false turn-on of the device is eliminated by a pre-charged negative gate-source voltage. The proposed method is simple and can ensure the safe gate driving voltage window of any fast switching device, independent of the package, temperature and switching speed of the device.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. OPERATION PRINCIPLES OF PROPOSED METHOD
III. EXPERIMENTAL VERIFICATION
IV. CONCLUSION
REFERENCES
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